中关村碳化硅功率器件8英寸产线扩建项目，是北京市“高精尖”产业规划落地以来，半导体领域单笔投资最大的标志性工程。项目选址海淀北部永丰产业基地，总占地一百八十三亩，建筑面积二十万平方米，将新建一条年产能六万片的8英寸SiC MOS与SBD兼容生产线，同时配套建设高能离子注入、高温氧化激活、激光退火、超薄金属沉积、铜夹键合等十八个关键工艺模块，形成从外延、晶圆制造到封装测试的全链条能力。投资方包括中关村发展集团、芯动能基金、北汽产投以及国内第三代半导体龙头天岳先进，首期注册资本五十亿元，计划2026年三季度试生产，2028年满产，届时可实现年销售收入一百二十亿元，带动上下游产值突破三百亿元，直接创造高端就业岗位两千一百个。
碳化硅功率器件被业界誉为“电能转换的CPU”，其耐压高、损耗低、开关快的特性，使新能源汽车主驱逆变器效率提升3%—5%，800V高压平台续航里程增加6%—8%，并可在高温、高频、高辐射等极端环境下稳定运行。相比传统硅基IGBT，SiC模块体积缩小一半，散热系统重量降低三十公斤，对整车轻量化、成本优化和碳减排具有立竿见影的效果。市场端数据显示，2025年全球SiC功率器件市场规模已突破五十亿美元，预计2030年将达二百亿美元，年复合增长率超过30%，其中中国需求占比过半，但国产化率仍不足25%，8英寸衬底自给率更低至15%，高端产能缺口巨大。中关村项目正是在“进口替代”与“换道超车”双重逻辑下应运而生。
技术路线方面，项目采用“自主+开放”双轮驱动策略。外延环节与中科院物理所、清华-富士康纳米中心共建8英寸厚膜外延联合实验室，攻克了缺陷密度小于每平方厘米0.3个的世界级难题；晶圆制造端引进日本日新离子注入机、德国Aixtron CVD、荷兰ASML DUV光刻机，同时保留40%国产设备接口，支持北方华创、中微、屹唐等本土厂商迭代验证；封装测试段则首创“银烧结+铜夹”混合封装工艺，将模块热阻降低18%，循环寿命提升三倍，并已通过比亚迪、小鹏、蔚来等车企一千二百万公里路试。质量管控体系对标车规级AEC-Q101 Grade 0，从原材料到成品实现二百四十道在线监测、一百一十道可靠性试验，数据全部接入中关村自研的“芯链”工业互联网平台，实现一键追溯。
项目背后，是北京市打通“科技—产业—金融”闭环的系统性布局。政策端，海淀区给予固定资产投资最高30%补贴，前三年免征土地增值税，并开通进口设备“船边直提”绿色通道；资金端，国开行北京分行牵头组建一百亿元银团贷款，利率较基准下浮60个基点；人才端，中关村“芯火”计划一次性拿出五百套共有产权房、一百个落户指标，面向全球招募工艺整合、设备工程、功率模块设计等紧缺岗位，最高给予五百万元科研经费及股权激励。与此同时，项目还设立二十亿元“第三代半导体产业基金”，已投资外延衬底企业天科合达、模块厂商基本半导体、车规级电源管理芯片公司芯洲科技等九家独角兽，形成“一个主机厂+一条产线+一群配套企业”的雨林式生态。
环保层面，碳化硅晶圆制造能耗约为硅基芯片的1.8倍，但项目通过“光伏+储能+再生水”综合方案，实现绿电占比75%，单位产值碳排放较行业平均下降42%。厂房屋顶铺设二十兆瓦分布式光伏，年发电二千三百万度；配套十兆瓦时全钒液流储能系统，削峰填谷，每年节省电费一千五百万元；生产废水经MBR+RO双膜系统处理后回用率92%，氟离子排放浓度低于每升0.5毫克，优于欧盟标准一个数量级。此外，项目还预留碳捕集接口，计划2027年引入二氧化碳电解制甲醇装置，进一步降低碳足迹。
展望“十五五”，中关村8英寸SiC产线将不仅仅是一座工厂，更是我国第三代半导体产业从“跟跑”迈向“领跑”的战略支点。随着二期十二万片产能启动，北京有望成为全球唯一同时具备8英寸硅基、碳化硅、氮化镓三大功率半导体规模量产能力的城市，形成“三箭齐发”格局，支撑我国新能源汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网等万亿级市场自主可控。正如北京市经信局负责人在开工仪式上所言：“谁掌握了碳化硅，谁就掌握了绿色能源时代的‘发动机’。”中关村，再一次站在创新浪潮的最前沿。