2025年3月，北京亦庄的芯片智造园区传来重磅消息——会员企业天科半导体正式宣布，其国内首条8英寸碳化硅（SiC）晶圆产线完成扩产改造，月产能由2万片跃升至5万片，缺陷密度稳定控制在≤0.3DPWM（Defects Per Wafer at Maximum Yield），标志着我国在车规级功率半导体领域迈出了关键一步。
此次扩产，不仅意味着天科半导体具备了与国际一线大厂媲美的制造能力，也为国内新能源汽车、光伏储能、超高压输电等下游应用提供了坚实支撑。据公司CEO周晓舸介绍，项目累计投资8亿元，其中70%以上用于关键设备国产化替代，包括高温离子注入机、碳化硅外延炉、激光退火设备等。通过引入AI视觉闭环检测系统，产线实现了微米级缺陷在线识别，单片良品率提升2.3个百分点，预计年内为客户节省成本超3亿元。
更值得关注的是，天科半导体已与三家国内新能源整车厂签署五年长期供货协议，涵盖1200V/1700V碳化硅MOSFET及肖特基二极管产品，年需求量超过600万颗，预计新增产值25亿元。这一合作不仅保障了整车厂供应链安全，也推动京津冀地区形成涵盖衬底、外延、设计、制造、封测、模块组装的全产业链协同格局，带动上下游配套投资超10亿元。
在政策层面，项目被列为北京市“高精尖”产业重大支撑工程，享受设备补贴、研发奖励、人才落户等多重支持。中关村电子商会秘书长表示，将依托“AI+智造”产业基金，为项目二期提供专项资金支持，并协助企业开展车规级AEC-Q101认证、ISO 26262功能安全体系建设，助力产品加速进入国际一线品牌供应链。
环保方面，产线全面导入绿色制造体系，单位能耗下降18%，水资源循环利用率达到92%，并建设屋顶光伏1.2MW，年减碳排放约1500吨。公司还计划与会员企业“碳测科技”合作，上线实时碳排监测平台，为每一片晶圆赋予“碳足迹身份证”，满足欧盟CBAM等国际绿色贸易要求。
展望未来，天科半导体已启动下一代12英寸SiC预研项目，并与清华大学、中科院微电子所共建“宽禁带半导体联合实验室”，重点攻关超低缺陷衬底、沟槽型MOS结构、高温封装等关键技术。目标到2027年，实现12英寸晶圆小规模量产，持续巩固我国在碳化硅领域的领先地位。
天科半导体的跃升，是中关村电子商会会员企业勇攀“芯”高峰的缩影，更是中国功率半导体产业从“跟跑”到“并跑”乃至“领跑”的生动写照。随着5万片/月产能释放，京津冀地区正加速崛起为世界级车规芯片智造走廊，为首都数字经济注入澎湃动能。