北京亦庄，凌晨两点。国内首条8英寸车规级碳化硅产线依旧灯火通明，机械臂挥舞，薄如蝉翼的晶圆在真空腔体里完成一次“原子级搬家”。站在线体外的王擎宇，轻触Pad上的良率曲线，嘴角扬起——又一批MOSFET芯片下线，失稳电压漂移不到0.03伏，比欧美同行再低15%。谁能想到，十五年前，这种被誉为“功率半导体皇冠”的第三代SiC器件，对中国而言还是一纸封锁清单。
2008年，王擎宇还是中科院半导体所的“小研究员”。那天，他收到美国科锐公司发布的6英寸SiC商用公告，心底一沉：又一次被甩在车后。当晚，他把所有积蓄换成进口衬底片，在实验室搭起简陋的垂直石墨炉，开始“土法”生长。三个月、一百二十次失败，第121炉终于出现一枚2厘米无微管单晶，他捧着“黑饼干”冲进零下二十度的夜晚，像抱着初生的孩子。
2012年，他作为首席科学家承担首个863计划“SiC自支撑厚膜制备”课题。没有MOCVD，就改装国产硅设备；没有仿真软件，就用Matlab自己写算法。凌晨的机房，键盘声与焊枪声交织，陪伴他的是一罐罐冻干咖啡。项目验收时，他拿出厚度500微米、位错密度≦103cm-2的衬底，评审专家沉默片刻后给出A+，这在材料类项目里极为罕见。
2016年，王擎宇创立Development Company，一条4英寸线、二十几名员工、账上只剩两百万。首笔订单来自深圳一家小逆变器厂，要求在45天内交出1200颗1200V/20A SiC二极管。时间紧迫，他和工程师把被褥搬进净化间，三班倒流片。第42天，良率仍只有62%。那天夜里，他独自站在刻蚀机前，想起导师的话：“科研是99%的汗水加1%的灵感，但灵感往往藏在第100次失败后。”于是他把栅氧工艺温度下调25℃，再调整C/Si比，奇迹出现了——良率跳到91%。订单交付那天，客户握着他的手说：“原来中国人也能做出靠谱的碳化硅！”这句话让他热泪盈眶，也成为公司文化墙的第一句标语。
2019年，国家02专项把“8英寸车规级SiC工艺”列入攻关清单，王擎宇团队再次挂帅。有人质疑：6英寸良率刚稳，就挑战8英寸，是否步子太大？他却说：“如果永远跟跑，只能吃灰。”为了突破热场均匀性难题，他提出“五段式梯度感应加热”概念，把模拟算法写成2000行Python脚本，跑了三昼夜，终于找到最优温度梯度曲线。2021年6月，首枚8英寸SiC晶圆下线，电阻率离散性<3%，成为全球第五家掌握该技术的机构。
今天，Development Company的8英寸产线月产能5万片，MOSFET器件导通电阻低至2.8mΩ·cm²，比国际竞品低18%；应用于新能源车主驱逆变器，整车百公里电耗下降7%，年节电7亿度，相当于减少二氧化碳排放69万吨。公司专利墙挂满60件证书，从外延、掺杂到封装，形成一道“知识产权长城”。欧美车载电源、光伏逆变器巨头纷至沓来，出口占比32%，每一片漂洋过海的芯片都刻着“Made in China”。
王擎宇仍保持“夜班”习惯。凌晨一点，他换上净化服，走进车间，与值班工程师讨论金属层溅射参数。有人问他：“你已经站在山顶，还这么拼？”他笑了笑：“科学的珠穆朗玛没有顶峰，只有新的营地。下一步，我们要把SiC与氮化镓合封，让器件在500℃下依然可靠，为探月、火星车提供‘中国心脏’。”
窗外，第一缕晨光穿透薄雾，照在晶圆搬运机器人闪亮的金属臂上，也照在这个永远奔跑的“碳化硅巨人”身上。电流，正悄悄在8英寸晶圆上跳舞，而舞台的中央，是王擎宇和他写下的中国半导体传奇。